電験三種 理論編のP131の１～2行目にG-S間にG側がプラスの電圧をかけます。すると、チャネル部分にはP型半導体の中に散在している自由電子が引き寄せられ・・・とありますが、P型半導体は、自由電子が不足している性質なので、誤りではないでしょうか？
正しくは、
すると、チャネル部分にはN型半導体の中に散在している自由電子が引き寄せられ・・・ではないですか？確認をお願いします。
御質問承りました。
結論を先に言いますと、間違いではありません。以下、理由を説明いたします。
N型半導体は、電子が過剰となり余り気味で、P型半導体は電子が不足気味になっています。ところが、これはN型半導体＝電子しか存在しない、P型半導体＝ホールしか存在しないという意味ではありません。
半導体のイメージは、学校のプールに大量のビニール製ボールが浮いているようなものです。ボール1個1個が電子です。このとき、ボールが水面を完璧にぴったりと1個分の隙間もない状態にしたのが真性半導体、ボール1個や2個の隙間が空いているのがP型半導体、全面を埋め尽くしたボールの上に1～2個が余って乗っかっているのがN型半導体です。
テキストの例ではP型半導体ですから、プールの隅に1～2個分の隙間が空いている状態です。このとき、風を起こしてボールを隅に押しやれば、その力で押しやられたボールが1～2個余った感じになり、他のボールの上に乗っかってしまうことが考えられます。このとき、風上側ではボールが抜けた穴が広がっているのですが、押しやられた隅っこだけを見ると、あたかも電子が余って上に乗っかっているN型半導体のように見えます。これが、「チャネル部分に集合した自由電子により、チャネルの下部分がN型半導体化」する理由です。
半導体の性質のなかで、「多数キャリア」「少数キャリア」という言葉があります。N型半導体では電子が多数キャリアでホールが少数キャリアですが、これは上記のプールの例で示したように、N型半導体といえども全体の電子の偏りにより、一部で電子が不足したホールが出来ることがあってそれが電子を運ぶ役割をすることがあることを示しています。もちろん、全体で見れば圧倒的に余剰電子が電流を運ぶ場合が多いため、それらを多数キャリアと呼ぶわけです。P型半導体ではその逆で、ホールが多数キャリアですが、電子の偏りによって一部が電子余剰になることがあり、それが電流を運ぶ役割をする場合に少数キャリアといいます。
あと、理論の講座を一通り学習し終わったら、理論の過去問講座に進むのがいいのでしょうか？それとも機械の講座に進むのがいいのでしょうか？
勉強の進め方の適性は人によって異なるので、絶対にこうするのが正しい！とも言えないのですが、理論の過去問練習に進むのが無難かと思います。機械にしても電力にしても、そして法規の計算問題にしても、まずは理論を正しく理解していなければなりませんので。
あと、過去問の解き方ですが、いきなり動画で解説を見る前に自分で解くほうがいいでしょうか、手も足もでないと時間の無駄になりそうで、解説を覚えるのでも通用するならそうするつもりです
私がかつて大学受験の勉強をしたときは、出題の問題を見ても直ぐに分からない場合、さっさと答えを見てしまい、その答えをなぞって自分で計算することによって覚えました。人によって適不適はあるかと思いますが、個人的にはそれで全然かまわないと思います。